存储巨头美光业绩“狂飙”，营收利润双双暴涨

美光公布2026财年第一季度（2025年9-11月）业绩，整体表现堪称惊艳。该季营收达136.4亿美元，环比增长21%、同比大增55%；Non-GAAP口径下，营业利润64.2亿美元，营业利润率从35%飙升至47%；净利润54.8亿美元，环比增长58%、同比暴涨169%。旗下所有业务部门均实现营收纪录与利润率双突破。

核心业务涨价成为关键驱动力。DRAM业务营收108亿美元，环比、同比分别增长20%、69%，占总营收79%，其中DRAM ASP（平均售价）环比大涨约20%；NAND业务营收27亿美元，环比、同比均增长22%，占总营收20%，NAND ASP环比上涨约15%。当前行业需求强劲叠加供应受限，市场紧张态势预计将延续至2026年以后。

HBM赛道成未来核心看点。美光已敲定2026全年HBM4等产品的供应价格与数量协议，预计到2028年，HBM潜在市场规模将达1000亿美元，复合年增长率约40%，这一里程碑将比早前展望提前两年到来，届时规模将超过2024年整个DRAM市场。

产能扩张同步加码。美光宣布上调2026财年资本支出至200亿美元，较此前预估增加20亿美元，同比增幅约48%，资金将重点投向HBM供应能力与1-gamma工艺节点产能。全球制造布局加速推进：首座爱达荷州晶圆厂预计2027年中期提前产出；第二座爱达荷州晶圆厂2026年开工、2028年底投产；纽约州首座晶圆厂计划2026年初开工；新加坡HBM先进封装设施2027年将贡献重要产能；印度组装测试设施已启动试产，2026年进入产能爬坡阶段。

技术创新持续突破。1-gamma DRAM节点进展顺利，将成为2026年DRAM出货增长核心动力；NAND领域G9节点规模化量产推进，良率爬坡强劲，2026年将主导NAND bit增长。终端市场方面，数据中心、AI PC、汽车电子需求旺盛，美光HBM4、低功耗DRAM、G9 NAND相关产品已完成多项认证或送样，斩获大量订单。

美光对未来增长信心十足，预计2026财年第二季度营收将达183-191亿美元，毛利率67%-69%，均将再创历史新高。同时上调2025年DRAM与NAND行业bit需求增长预期，彰显行业景气度持续攀升。

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